公司簡介
技術優勢
- 150V/375mΩ N通道，SOT-26 封裝
- 30V/10mΩ P通道，DFN3*3 封裝
- 30V/45m Ω P通道，靜電防護 3KV保護，SOT-23 封裝
- 100V/ 100mΩ N通道，DFN3*3 封裝
- 開發出分離式閘極獨家專利製程平台(Split-Gate)
- 30V/31mΩ 雙N通道，DFN3*3 封裝
- 40V/2.5mΩ N通道，TO-220 /DFN5*6 封裝
- 100V/14~23mΩ N通道，TO-220 封裝
- 建立N/P通道 20~60V MOSFET的電腦製程及電性模擬運算模型
- ETG-1 分離式閘極良率提升，並開始量產
- RTG30V/40V N通道新製程開發完成
- RTG 40V/2.2mΩ N通道，DFN 3.3*3.3 封裝(該封裝業界最大電流)
- RTG 30V/1.5mΩ N通道，DFN 3.3*3.3 封裝(該封裝業界最大電流)
- 裸晶封裝CSP 12V/20V/24V系列產品開發完成
- ETG-1 Plus 新製程平台開發完成
- ETG-1 Plus 100V/ 8~10mΩ N通道，SOP-8封裝
- RTG 30V/2.2mΩ N通道，DFN 3*3 封裝
- 裸晶封裝CSP 28V系列產品開發完成
- ETG-1 Plus 100V/ 5.8mΩ N通道，DFN5*6封裝
- PD IC 合封之30V N通道特製MOSFET晶片